韓國媒體最新報道，三星電子在第六代10納米級1c DRAM制程的開發上遭遇了挑戰，導致預計完成時間從原定的2024年年底推遲到了2025年6月。這一延期無疑給三星的產品計劃帶來了不小的影響，特別是原計劃于2025年下半年量產的第六代高頻寬存儲器（HBM4）也因此面臨了不確定性。
據了解，三星在2024年年底已經成功向市場交付了首個1c DRAM測試芯片，但后續的生產過程中良率并未達到預期水平，這是導致開發時間延長的主要原因。市場人士透露，三星目前正致力于在未來六個月內將良率提升至約70%，以盡快推進量產進程。
通常情況下，每一代DRAM制程的開發周期約為18個月。然而，自2022年12月三星宣布開發出第五代10納米級1b DRAM制程并量產以來，關于1c DRAM的進展一直較為低調，未有明確消息傳出。
此次1c DRAM制程的延遲不僅影響了DDR5內存的量產計劃，也對高頻寬存儲器（HBM）的開發造成了波及。如果1c DRAM的量產時間推遲至2025年底，那么HBM的量產時間也可能會相應延后至2025年之后，這與三星此前設定的目標相悖，進而可能削弱三星在HBM市場的競爭力。
韓國半導體產業人士表示，三星目前正在對1c DRAM制程技術的部分設計進行調整和優化，以盡快實現量產目標。然而，能否在預定時間內完成量產仍然存在不確定性。
