12 月 11 日消息，韓媒 hankooki 當地時間昨日表示，三星電子由于 8 層、12 層堆疊 HBM3E 內存樣品性能未達英偉達要求，難以在今年內正式啟動向這家大客戶的供應，實際供貨將落到 2025 年。
報道表示，三星電子早在 2023 年 10 月就開始向英偉達供應 HBM3E 內存的質量測試樣品，但一年多的時間內三星 HBM3E 的認證流程并未取得明顯進展。
韓媒援引消息人士的觀點稱，由于 SK 海力士在 HBM3E 上的領先地位，實際上為這一類型的利基內存確定了性能參數標準，而三星電子的 HBM3E 在發熱和功耗等性能參數上無法滿足英偉達的要求。
據悉，三星電子的 HBM3E 未能得到英偉達供應許可，主要因素并非與 SK 海力士采用了不同的鍵合工藝。
IT之家注：
SK 海力士在 HBM3E 上使用了批量回流模制底部填充 MR-RUF 鍵合技術，而三星電子與美光則都是 TC-NCF 熱壓非導電薄膜。